参数资料
型号: 2SC3332
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: NP, 3 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 46K
代理商: 2SC3332
No.1334-2/4
2SA1319/2SC3332
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2SC3332
2SA1319
For PNP, minus
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Base
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F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
相关PDF资料
PDF描述
2SC3361-4 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC1815(L) 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC1815(L)-O 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC1815(L)-GR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N6515ZL1 500 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC3332_11 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Voltage Switching Applications
2SC3332R 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC3332R-AA 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC3332S 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC3332S-AA 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2