型号: | 2SC3357RH |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 |
文件页数: | 8/10页 |
文件大小: | 211K |
代理商: | 2SC3357RH |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SC3357-T1RH | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC3357-T1RE | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC3357-T1RH | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC3357-RH | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC3359STPQ | 300 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SC3357-T1 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC3357-T1-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,12V,0.1A,P-MiniMold3 制造商:Renesas 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR |
2SC3357-T1-A-RE | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SC3357-T1-A-RF | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SC3357-T1-RF-A | 功能描述:SAME AS NE85634 NPN SILICON MEDI 制造商:cel 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:新产品 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:6.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1,000 |