参数资料
型号: 2SC3413C
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAKVAR
中文描述: 晶体管|晶体管|叩| 30V的五(巴西)总裁| 100mA的一(c)| SPAKVAR
文件页数: 4/5页
文件大小: 23K
代理商: 2SC3413C
2SC3413
4
Package Dimensions
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass
(reference value)
SPAK
0.10 g
4.2 Max
0.6 Max
0.45
±
0.1
1.27
1.27
2.54
2.2 Max
0.4
±
0.1
0
1
1
3
As of January, 2001
Unit: mm
相关PDF资料
PDF描述
2SC3413D SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC3415
2SC3419O TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-126
2SC3419Y SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC3450M TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-218VAR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC3415STPN 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 300V 0.1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC3415STPP 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 300V 0.1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC3417 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-126 300V .1A 1.2W ECB
2SC3419 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR (86I
2SC3419-O(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: