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参数资料
型号： 2SC3583
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数： 15/21页
文件大小： 534K
代理商： 2SC3583
FREQ.
NFOPT
GA
ΓOPT
(MHz)
(dB)
MAG
ANG
Rn/50
500
1.24
9.26
0.73
42
1.70
800
1.67
6.95
0.74
72
1.01
1000
2.18
6.02
0.70
90
0.78
VCE = 2.5 V, IC = 1 mA
500
0.97
13.86
0.66
43
0.46
FREQ.
NFOPT
GA
ΓOPT
(MHz)
(dB)
MAG
ANG
Rn/50
500
1.48
10.23
0.74
43
1.35
800
1.90
10.15
0.72
79
0.92
1000
2.15
9.00
0.69
99
0.60
1500
2.70
4.46
0.66
126
0.38
NE68130
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25
°C)
NE68100
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25
°C)
FREQ.
NFOPT
GA
ΓOPT
(MHz)
(dB)
MAG
ANG
Rn/50
VCE = 8 V, IC = 7 mA
500
1.3
26.42
0.20
91
0.20
1000
1.45
20.54
0.20
148
0.21
2000
2.1
14.41
0.22
178
0.51
4000
3.25
7.76
0.42
-115
0.85
NE68119
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25
°C)
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
VCBO
Collector to Base Voltage
V
20
VCEO
Collector to Emitter Voltage
V
10
VEBO
Emitter to Base Voltage
V
1.5
IC
Collector Current
mA
65
TJ
Operating Junction
Temperature
°C
1502
TSTG
Storage Temperature
°C
-55 to +1503
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
2. TJ for NE68135 and NE68100 is 200
°C.
3. Maximum storage temperature for the NE68135 is
-65 to +150
°C.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TA = 25
°C)
VCE = 2.5 V, IC = 3 mA
500
1.00
17.28
0.47
44
0.25
800
1.06
14.35
0.44
83
0.21
1000
1.16
12.69
0.43
100
0.17
1500
1.46
9.50
0.39
130
0.12
2000
1.80
7.70
0.35
177
0.11
2500
2.15
6.03
0.35
-177
0.09
VCE = 8 V, IC = 7mA
500
1.30
20.34
0.29
50
0.27
1000
1.40
13.96
0.25
84
0.18
2000
1.80
8.56
0.25
155
0.16
3000
2.50
5.64
0.48
-167
0.10
4000
3.60
4.50
0.67
-135
0.20
FREQ.
NFOPT
GA
ΓOPT
(MHz)
(dB)
MAG
ANG
Rn/50
1000
1.1
17.33
0.28
71
0.22
2000
1.6
13.60
0.37
160
0.15
4000
3.4
9.25
0.51
-139
0.27
NE68135
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25°C)
VCE = 2.5 V, IC = 0.3 mA
VCE = 2.5 V, IC = 3 mA
VCE = 3 V, IC = 5 mA
800
1.19
9.12
0.59
48
0.35
1000
1.31
10.09
0.56
89
0.30
1500
1.71
7.99
0.50
131
0.16
500
0.92
17.19
0.49
39
0.28
800
1.02
14.23
0.40
68
0.17
1000
1.11
12.78
0.38
87
0.14
1500
1.42
10.30
0.39
134
0.08
2000
1.82
8.24
0.36
165
0.11
500
1.00
19.00
0.37
43
0.20
800
1.10
15.57
0.31
71
0.15
1000
1.19
13.91
0.30
89
0.13
1500
1.40
11.25
0.33
139
0.09
2000
1.70
9.08
0.32
166
0.11
2500
2.05
7.62
0.36
-163
0.13
VCE = 8 V, IC = 7 mA
500
1.10
20.30
0.36
39
0.22
800
1.20
16.82
0.28
64
0.16
1000
1.30
15.10
0.28
81
0.14
1500
1.50
12.35
0.28
130
0.11
2000
1.77
10.21
0.28
158
0.12
2500
2.10
8.85
0.33
-166
0.14
3000
2.40
7.86
0.44
-141
0.16
VCE = 8 V, IC = 7 mA
VCE = 2.5 V, IC = 0.3 mA
VCE = 2.5 V, IC = 1 mA
500
1.10
14.69
0.65
45
0.42
800
1.26
12.73
0.60
80
0.30
1000
1.40
11.29
0.56
99
0.24
1500
1.80
7.40
0.53
123
0.17
2000
2.22
6.14
0.47
166
0.12
2500
2.75
4.89
0.49
-166
0.08
NE681 SERIES
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参数描述
2SC3583-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1
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