型号: | 2SC3834L-TA3-T |
厂商: | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
封装: | LEAD FREE, TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 193K |
代理商: | 2SC3834L-TA3-T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SC3834-TA3-T | 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2SC3834G-TA3-T | 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2SC3836RR | 300 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC3836TZ | 300 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC383TM | 50 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SC3835 | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Box 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 120V 7A TO3P |
2SC3837KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
2SC3837KT146N | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC3837KT146N/P | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, NPN, RF, 18V, 50mA, SMT3, 2 |
2SC3837KT146P | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |