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参数资料
| 型号： | 2SC4132T101R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SC4132T101R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2153T100/EW | 2 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1963T101/Q | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1733TR/PR | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1918TR/N | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4505T101P | 100 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4133 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORSPA 50V .1A .3W ECB |
| 2SC4134 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORSC-64 (TP) 120V 1A 10W BCE |
| 2SC4134R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |
| 2SC4134S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |
| 2SC4134S-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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