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参数资料
| 型号： | 2SC4231 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 417K |
| 代理商： | 2SC4231 |
Unit : mm
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Case : ITO-220
HFX Series
Switching Power Transistor
2A NPN
2SC4231
(TP2V80HFX)
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Storage Temperature
Tstg
-55`150
Junction Temperature
Tj
150
Collector to Base Voltage
VCBO
1200
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
800
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
7V
Collector Current DC
IC
2A
Collector Current Peak
ICP
4
Base Current DC
IB
1
A
Base Current Peak
IBP
2
Total Transistor Dissipation
PT
Tc = 25
30
W
Dielectric Strength
Vdis
Terminals to case, AC 1 minute
2
kV
Mounting Torque
TOR
(Recommended torque : 0.3Nm)
0.5
Nm
Electrical Characteristics (Tc=25)
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector to Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus)
IC = 0.1A
Min 800
V
Collector Cutoff Current
ICBO
At rated Voltage
Max 0.1
mA
ICEO
Max 0.1
Emitter Cutoff Current
IEBO
At rated Voltage
Max 0.1
mA
DC Current Gain
hFE
VCE = 5V, IC = 1A
Min 8
hFEL
VCE = 5V, IC = 1mA
Min 7
Collector to Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = 1A
Max 1.0
V
Base to Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IB = 0.2A
Max 1.5
V
Thermal Resistance
jc
Junction to case
Max 4.16 /W
Transition Frequency
fT
VCE = 10V, IC = 0.2A
TYP 8
MHz
Turn on Time
ton
IC = 1A
Max 0.5
Storage Time
ts
IB1 = 0.2A, IB2 = 0.4A
Max 3.5
s
Fall Time
tf
RL = 250, VBB2 = 4V
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