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参数资料
| 型号： | 2SC4231 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 417K |
| 代理商： | 2SC4231 |
Forward Bias SOA
0.01
0.1
1
10
100
2SC4231
50
s
Tc = 25
°C
Single Pulse
150
s
1ms
10ms
DC
4
800
Collector-Emitter Voltage VCE [V]
Collector
Current
I
C
[A]
PT limit
IS/B limit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC4231-7012 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4231-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4231-7112 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4232 | 制造商:SAVANTIC 制造商全称:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
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