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参数资料
| 型号： | 2SC44124 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 24K |
| 代理商： | 2SC44124 |
2SC4412
No.3019-2/3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
hFE -- IC
0.1
23
5
1.0
52
3
5
10
23
5
100
3
5
10
2
3
5
7
100
2
3
5
7
1000
7
1.0
23
5
10
7
72
3
5
100
2
7
Cob -- VCB
IC -- VBE
3
1.0
3
5
7
2
10
5
7
3
2
VCE=6V
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
f=1MHz
0
10
20
30
40
50
60
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
1.0
23
5
7
10
72
3
5
7
f T -- IC
7
10
100
3
5
7
2
VCE=30V
1.0
23
5
10
7
72
3
5
100
72
3
10
3
5
7
2
1.0
5
7
3
2
Cre -- VCB
f=1MHz
10
1.0
23
5
7
72
3
5
7
VCE(sat) -- IC
3
0.1
5
2
7
1.0
5
7
3
5
2
7
10
IC / IB=10
Ta=75°C
25°C
--25°C
VCE=6V
ITR06793
ITR06794
ITR06796
ITR06795
ITR06798
ITR06797
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
--
V
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
--
mA
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Re
v
erse
T
ransfer
Capacitance,
Cre
--
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
--
pF
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
Collector Current, IC -- mA
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=30V, IC=10mA
70
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=30V, f=1MHz
1.5
pF
Reverse Transfer Capacitance
Cre
VCB=30V, f=1MHz
1.0
pF
DC Current Gain Ratio
hFE ratio
hFE1 / hFE2
0.95
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=10mA, IB=1mA
1.0
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=10mA, IB=1mA
1.0
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=10A, IE=0
300
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
300
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IC=10A, IC=0
5
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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