参数资料
型号: 2SC4582
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 15 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: ITO-3P, 3 PIN
文件页数: 4/10页
文件大小: 350K
代理商: 2SC4582
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
2SC4582
0.01
0.1
1
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.05
0.5
0.2
20
50
5
2
200
500
2000
5000
0.02
0.05
0.5
0.2
20
5
2
0.005
0.002
I C
=
1A
2A
4A
7.5A
15A
20A
Tc
=
25
°C
Saturation
Voltage
I C
=
1A
2A
4A
7.5A
15A
20A
12
Base
Current
I
B
[A]
Collector-EmitterVoltage
VCE
[V]
Base-EmitterVoltage
VBE
[V]
相关PDF资料
PDF描述
2SC4584 6 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4585-4100 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4233-4100 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SC4234-4000 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4583-4100 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC4582-4100 功能描述:两极晶体管 - BJT V=450 IC=15 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4582-7100 功能描述:两极晶体管 - BJT V=450 IC=15 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4582-7112 功能描述:两极晶体管 - BJT V=450 IC=15 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4583-7100 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4583-7112 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2