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参数资料
| 型号： | 2SC458 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | 2SC458 |
2SC458, 2SC2308
Silicon NPN Epitaxial
ADE-208-1043 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
Low frequency amplifier
Complementary pair with 2SA1029 and 2SA1030
Outline
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-92 (1)
3
2
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC458-B | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC458-C | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2308 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2308B | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC458K | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4580-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4580-7112 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4581 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4581-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=450 IC=10 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4581-7112 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=450 IC=10 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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