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参数资料
| 型号： | 2SC4596C7E |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 封装： | TO-220FP, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | 2SC4596C7E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1956C7F | 7 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1720C7F | 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1943J | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SC4205C7/A | 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1763C7/D | 1.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC460 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4604(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk |
| 2SC4604,F(J | 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC4604,T6F(J | 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC4604,T6F(M | 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
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