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参数资料
| 型号： | 2SC4597-L |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SC4597-L |
2SC4597
No.3143–2/4
Switching Time Test Circuit
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
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m
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G
t
n
e
r
u
C
D
h E
F 1V E
C
I
,
V
5
=
C
A
4
.
0
=*
5
1*
0
5
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F 2V E
C
I
,
V
5
=
C
A
2
=0
1
h E
F 3V E
C
I
,
V
5
=
C
A
m
0
1
=0
1
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c
u
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P
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B
-
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GfT
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A
4
.
0
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2z
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t
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c
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p
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u
p
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u
OC b
o
V B
C
z
H
M
1
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,
V
0
1
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5F
p
e
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t
l
o
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a
S
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m
E
-
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c
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ll
o
CV
)
t
a
s
(
E
C
IC
I
,
A
2
=
B
A
4
.
0
=8
.
0V
e
g
a
t
l
o
V
n
o
i
t
a
r
u
t
a
S
r
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t
i
m
E
-
o
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s
a
BV
)
t
a
s
(
E
B
IC
I
,
A
2
=
B
A
4
.
0
=5
.
1V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
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a
B
-
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-
r
o
t
c
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ll
o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
m
1
=
E 0
=0
0
5V
e
g
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t
l
o
V
n
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o
d
k
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-
r
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t
c
e
ll
o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
5
=
E
B =∞
0
4V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
o
t
-
r
e
t
i
m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
m
1
=
C 0
=7
V
e
g
a
t
l
o
V
n
i
a
t
s
u
S
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t
i
m
E
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t
c
e
ll
o
CV
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s
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s
(
X
E
C
IC
I
,
A
2
=
1
B
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,
H
m
1
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L
,
A
2
.
0
=
2
B
d
e
p
m
a
l
c
,
A
8
.
0
–
=0
0
4V
e
m
i
T
N
O
-
n
r
u
Tt n
o
IC
I
,
A
3
=
1
B
I
,
A
6
.
0
=
2
B
R
,
A
2
.
1
–
=
L
6
.
6
=
,
V C
C
V
0
2
=
5
.
0s
e
m
i
T
e
g
a
r
o
t
St g
t
s
IC
I
,
A
3
=
1
B
I
,
A
6
.
0
=
2
B
R
,
A
2
.
1
–
=
L
6
.
6
=
,
V C
C
V
0
2
=
5
.
2s
e
m
i
T
ll
a
Ftf
IC
I
,
A
3
=
1
B
I
,
A
6
.
0
=
2
B
R
,
A
2
.
1
–
=
L
6
.
6
=
,
V C
C
V
0
2
=
3
.
0s
Continued from preceding page.
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
++
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
100mA
150mA
400mA
450mA
200mA
250mA
300mA
350mA
500mA
1
2
5
4
3
0
3
5
4
1
2
0
04
8
10
26
IC -- VCE
IB=0
ITR07247
VCE=5V
T
a=120
°C
25
°C
--
4
0°
C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.4
1.2
1.0
IC -- VBE(ON)
ITR07248
50mA
Collector
Current,
I C
–
A
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Base-to-Emitter ON-State Voltage, VBE(on) – V
* : For the hFE1 of the 2SC4597, specify two ranks or more in principle.
k
n
a
RL
M
N
h E
F
0
3
o
t
5
10
4
o
t
0
20
5
o
t
0
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SC4604,T6F(J | 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC4604,T6F(M | 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
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