参数资料
型号: 2SC4597-L
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: SMP, 3 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 38K
代理商: 2SC4597-L
2SC4597
No.3143–3/4
PC -- Ta
0
50
40
30
10
20
060
40
80
100
140
120
160
ITR07256
No
heat
sink
PC -- Ta
0
2.0
1.65
1.6
1.2
0.8
0.4
20
060
40
80
100
140
120
160
ITR07255
1.0
10
0.1
0.01
5
2
3
5
2
3
5
2
3
1.0
10
0.1
5
7
3
2
5
7
3
2
100
10
25
37
25
37
57
1000
100
25
37
57
1000
10ms
100
s
DC
operation
Dissipation
Limited
ICP=8A
50
s
IC=4A
Tc=25
°C
IB2= --0.8A Const.
L=100
H
Tc=25
°C
Single pulse
S
/ B
Lim
ited
ITR07253
Forward Bias A S O
1ms
ITR07254
Reverse Bias A S O
1.0
0.1
1.0
5
7
5
2
3
10
7
5
2
3
0.1
10
7
23
5
7
23
5
7
5
ITR07252
SW Time -- IC
tstg
tf
ton
1.0
0.1
10
5
3
27
5
3
27
0.01
5
3
27
VBE(sat) -- IC
1.0
0.1
2
5
3
2
7
IC / IB=5
VCC=200V
IC=5IB= --2.5IB2
R load
ITR07251
Ta= --40°C
25°C
120°C
IC
Test Circuit
VCC=20V
TUT
L
IB1
IB2
--5V
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Collector
Current,
I C
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
A
Collector-to-Emitter Sustain Voltage, VCEX(sus) – V
Switching
Time,
SW
Time
s
Collector Current, IC – A
Collector
Dissipation,
P
C
W
Ambient Temperature, Ta –C
Collector
Dissipation,
P
C
W
Ambient Temperature, Ta –C
Ta=120°C
--40°C
Ta=120
°C
--40
°C
hFE -- IC
VCE=5V
ITR07249
10
7
100
5
7
5
3
2
1.0
0.1
0.01
3
27
5
3
27
5
3
27
5
10
1.0
0.1
0.01
3
27
5
3
27
5
3
27
5
10
25°C
5
7
3
5
7
2
1.0
0.1
VCE(sat) -- IC
ITR07250
IC / IB=5
25
°C
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC – A
相关PDF资料
PDF描述
2SA1290Q-RB 7 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2SD2285S-RG 20 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1256T103B Si, POWER TRANSISTOR, TO-92
2SK426-T2BX25 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SB827R-YA 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC460 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC4604(F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk
2SC4604,F(J 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1
2SC4604,T6F(J 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1
2SC4604,T6F(M 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1