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参数资料
| 型号： | 2SC4650D |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 2SC4650D |
2SA1787/2SC4650
No.3581–4/5
A S O
10
1.0
7
5
3
2
100
7
5
3
2
3
2
10
100
25
32
3
7
57
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
20
060
40
80
100
140
120
160
PC -- Ta
2SA1787 / 2SC4650
VBE(sat) -- IC
--10
--1.0
--10
7
5
3
2
7
5
3
57
2
3
5
7
--100
23
5
7
2SA1787
IC / IB=10
ITR04714
ITR04716
ITR04718
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
0
20
40
60
80
100
120
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
IC -- VBE
VBE(sat) -- IC
10
1.0
10
7
5
3
2
7
5
3
57
2
3
5
7
100
22
35
7
2SC4650
IC / IB=10
ITR04715
ITR04717
2SA1787 / 2SC4650
VCE=10V
For PNP, minus sign is omitted.
ICP=200mA
IC=100mA
10ms
1ms
DC
operation
2SA1787 / 2SC4650
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector
Dissipation,
P
C
–
W
Ambient Temperature, Ta – C
Ta=25
°C
Single pulse
For PNP, minus sign is omitted.
Collector Current, IC – mA
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–V
Collector Current, IC – mA
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–V
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–
mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4650E | 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1787E | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1787 | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1787D | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4655B | 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4655JCL | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC4656JRL | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC4662LF608 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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| 2SC4663-4000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=200 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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