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参数资料
| 型号： | 2SC4680 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPAK-3 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 2SC4680 |
2SC4680
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
12
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
8V
Emitter to base voltage
V
EBO
3V
Collector current
I
C
50
mA
Collector power dissipation
P
C
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
12
——V
I
C = 10 A, IE = 0
Collector cutoff current
I
CBO
——
10
AV
CB = 12 V, IE = 0
I
CEO
——
1
mA
V
CE = 8 V, RBE = ∞
Emitter cutoff current
I
EBO
——
10
AV
EB = 3 V, IC = 0
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
70
100
mV
I
C = 20 mA, IB = 4 mA
DC current transfer ratio
h
FE
100
250
—
V
CE = 5 V, IC = 5 mA
Collector output capacitance
Cob
—
1.0
1.5
pF
V
CB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz
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PDF描述 |
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| 2SC4689-R | 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC4682,T6F(J | 功能描述:TRANS NPN 3A 15V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:800 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
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