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参数资料
| 型号： | 2SC4689-R |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-16F1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | 2SC4689-R |
2SC4689
2004-07-07
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Co
lle
ct
or
cu
rr
en
t
I
C
(
A
)
IC – VBE
Collector current IC (A)
hFE – IC
D
C
c
urre
nt
ga
in
h
FE
Collector current IC (A)
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
a
tu
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(s
a
t)
(
V
)
Collector current IC (A)
T
ran
si
tion
fr
eq
ue
nc
y
f T
(M
Hz)
VCE (sat) – IC
fT – IC
Base-emitter voltage VBE (V)
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Safe Operating Area
0.4
0
0.8
1.6
8
0
2
4
1.2
2.0
6
Common emitter
VCE = 5 V
Tc = 100°C
25
3
Common emitter
VCE = 5 V
1000
5
0.01
300
50
30
10
0.03
0.1
1
10
Tc = 100°C
25
100
0.3
500
3
Common emitter
VCE = 5 V
Tc = 25°C
200
1
0.01
50
10
5
3
0.03
0.1
10
30
1
100
0.3
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
0.1
1
0.3
0.5
1
3
5
10
30
10
30
100
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
1 ms*
10 ms*
100 ms*
DC operation
(Tc = 25°C)
3
200
VCEO
max
Common emitter
IC/IB = 10
1
0.01
0.5
0.3
0.1
0.03
0.1
0.3
1
3
10
Tc = 100°C
25
0.03
0.05
10
0
8
6
2
4
6
8
Common emitter
Tc = 25°C
300
30
20
0
IB = 10 mA
500
4
2
10
70
50
100
200
150
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