- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49955 > 2SC4821C Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC4821C |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | FLP-3 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2SC4821C |
14.9
8.9
3
3.8
14.6
2.2
17.5
CPA
20
5
(1)
Housing
Retainer
8
8.9
3
2
8
720
Q’ty/box
Circuits
Model No.
08HIC-R-1A
Female terminal
Male terminal
Female connector
Housing: PBT, yellow
Retainer: PBT, black
CPA housing: PBT, black
Material
7,500
Q’ty/reel
Applicable wire range
Insulation O.D.
mm
Model No.
SNAC3-A021GF-M0.64-1
Conductor
(mm2)
0.3 to 0.5
1.4 to 1.8
Copper alloy, nickel-undercoated, Male contact area; gold-plated
Material and Finish
5,000
Q’ty/reel
Applicable wire range
Insulation O.D.
(mm)
Model No.
SNAC3W-A021GF-0.64
Conductor
(mm2)
0.3 to 0.5
1.4 to 1.8
Brass, nickel-undercoated, Female contact area; gold-plated,
Short terminal contact area; gold-plated
Material and Finish
HIC CONNECTOR
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4824-E | 0.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4824-D | 0.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1850 | 0.2 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4824-E | 0.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1850F | 0.2 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4833-4000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7012 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7112 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。