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参数资料
| 型号： | 2SC4821C |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | FLP-3 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2SC4821C |
With
short terminal
Without
short terminal
1
2
3
5
7
4
6
8
1
2
3
5
7
4
6
8
Model No.
08HIC-P-1A
08HIC-P-1B
With
short terminal
Without
short terminal
Model No.
08HIC-P-2A
08HIC-P-2B
1
2
3
5
7
4
6
8
1
2
3
5
7
4
6
8
1
2
3
5
7
4
6
8
3.8
8.8
2.2
18.8
20.8
1
Housing
Retainer
36
17.3
36
17.3
1
2
3
5
7
4
6
8
3.8
8.8
2.2
18.8
1
Housing
Retainer
3
Male connector
8
560
Q’ty/box
Circuits
Model No.
08HIC-P-1A
08HIC-P-1B
08HIC-P-2A
08HIC-P-2B
Housing: PBT, yellow
Retainer: PBT, black
Short terminal: Copper alloy, nickel-undercoated,
Contact area; gold-plated
Material and Finish
Crimping machine, Applicator
Note: When crimping operation is conducted using an applicator and die set other than the above, JST cannot guarantee the performance of the terminal.
Crimp applicator MKS-L
Strip terminal
SNAC3-A021GF-M0.64-1
SNAC3W-A021GF-0.64
Dies
Crimp applicator with dies
APLMK SNAC3-A021-064
APLMK SNAC3W-A021-064
MK/SNAC3-A021-064
MK/SNAC3W-A021-064
Crimping
machine
AP-K2N
Special mount
Normal mount
HIC CONNECTOR
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SC4824-E | 0.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SA1850 | 0.2 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4824-E | 0.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1850F | 0.2 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC4833-7000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7012 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7112 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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