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参数资料
| 型号： | 2SC4829B |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | 2SC4829B |
2SC4829
3
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Ambient Temperature Ta (
°C)
Collector
Power
Dissipation
Pc
(W)
50
100
150
200
Maximum Collector Dissipation Curve
50
40
30
20
10
2
Collector to Emitter Voltage
V
(V)
CE
Collector
Current
I
(mA)
C
46
8
10
0
I
= 0
B
50
A
100
A
150
A
200
A
250
A
300
A
350
A
400
A
Typical Output Characteristics
1000
500
200
100
50
20
10
1
10
100
1000
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
Collector Current
I
(mA)
C
V
= 10 V
Pulse test
CE
Ta = 75
°C
25
°C
–25
°C
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
10
100
1000
Collector
to
Emitter
Saturation
Voltage
CE(sat)
Collector Current
I
(mA)
C
I / I = 10
Pulse test
C
Ta = 75
°C
25
°C
–25
°C
B
V
(V)
Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC4833-7000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2SC4833-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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