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参数资料
| 型号： | 2SC4829B |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | 2SC4829B |
2SC4829
4
1000
100
10
1
0
Collector
Current
I
(mA)
C
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Base to Emitter Voltage
V
(V)
BE
V
= 10 V
Pulse test
CE
Ta = 75
°C
25
°C
–25
°C
Collector Current vs.
Base to Emitter Voltage
5000
2000
1000
500
200
100
50
1
10
100
1000
Gain
Bandwidth
Product
f
(MHz)
T
Collector Current
I
(mA)
C
V
= 10 V
Pulse test
CE
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
100
50
20
10
5
2
1
2
5
10
20
50
100
Collector to Base Voltage V
(V)
CB
Collector
Output
Capacitance
Cob
(pF)
I
= 0
f = 1 MHz
E
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5078ZC-UR | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5246ZC-TR | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1177 | 2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1367BATR | 2000 mA, 16 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1367BAUL | 2000 mA, 16 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SC4833-7000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7012 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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