- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录31682 > 2SC4935 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC4935 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-10R1A, SC-67, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | 2SC4935 |
2SC4935
2006-11-10
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
Collector current IC (A)
hFE – IC
DC
curre
nt
gain
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Colle
ctor-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
CE
(sat)
(V)
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
Colle
ctor
p
ower
d
issip
atio
n
P
C
(
W
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
0
Common emitter
Tc = 25°C
1
2
3
2
4
6
8
10
IB = 5 mA
50
40
30
25
20
15
10
1
0.01
0.1
1
10
0.1
Common emitter
IC/IB = 10
100
Tc = 25°C
25
12
0
25
50
75
100
125
150
175
200
10
8
6
4
2
(1) Tc = Ta
Infinite heat sink
(2) No heat sink
(1)
(2)
10
0.05
1
0.1
1
10
3
5
30
50
100
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
IC max (pulsed)*
IC max (continuous)
DC operation
Tc = 25°C
100 ms*
10 ms*
t = 1 ms*
3
0
2.5
2
1.5
1
0.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Common emitter
VCE = 2 V
25
Tc = 100°C
25
1000
3
0.01
100
10
0.1
1
10
Common emitter
VCE = 2 V
25
Tc = 100°C
25
30
300
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4935-O | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4935-Y | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4956 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4956-T2T82 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4964YV-UR | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4935-O(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC4935-Y,Q(J | 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:80MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SC494 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 50V 5A 50W BEC |
| 2SC4940-7000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4940-7012 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。