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参数资料
| 型号： | 2SC4964 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPAK-3 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | 2SC4964 |
Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5
2SC4964
Silicon NPN Epitaxial
REJ03G0736-0300
(Previous ADE-208-005A)
Rev.3.00
Aug.10.2005
Application
VHF / UHF RF switch
Features
Low Ron and high performance for RF switch.
Capable of high density mounting.
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A
(Package name: MPAK)
1
2
3
1. Emitter
2. Base
3. Collector
Note:
Marking is “YV–”.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
12
V
Collector to emitter voltage
VCEO
8
V
Emitter to base voltage
VEBO
3
V
Collector current
IC
100
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4965YV-TL-E | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4977 | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4786 | 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4983-7 | 1000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1881-7 | 1000 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4978-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7071 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7101 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4979-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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