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参数资料
| 型号： | 2SC4977 |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SC4977 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4786 | 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4983-7 | 1000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1881-7 | 1000 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4986 | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5000 | 10 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4978-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7071 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7101 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4979-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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