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参数资料
| 型号： | 2SC5103/P |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | 2SC5103/P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2118/R | 10000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1181/PQ | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1862/N | 4000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1412/Q | 10000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5103Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252VAR |
| 2SC5103TL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5103TLP | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 60V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5103TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN;CPT3 HFE RANK ’Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5104 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching) |
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