型号: | 2SC5103/P |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 5000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 81K |
代理商: | 2SC5103/P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SC5103Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252VAR |
2SC5103TL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC5103TLP | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 60V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC5103TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN;CPT3 HFE RANK ’Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC5104 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching) |