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参数资料
| 型号： | 2SC5200-R |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, 2-21F1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | 2SC5200-R |
2SC5200
2010-11-02
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC5200
Power Amplifier Applications
High breakdown voltage: VCEO = 230 V (min)
Complementary to 2SA1943
Suitable for use in 100-W high fidelity audio amplifier’s output stage
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
230
V
Collector-emitter voltage
VCEO
230
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
15
A
Base current
IB
1.5
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
150
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are
within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-21F1A
Weight: 9.75 g (typ.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5200-O | 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5242-O | 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5242-R | 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC526 | 55 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5400 | 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5200-R(Q) | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5200RTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 230V 15A 150W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5201 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type High-Voltage Switching Applications |
| 2SC5201(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk |
| 2SC5201(T6MURATAFM | 功能描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
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