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参数资料
| 型号： | 2SC5201 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 600 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 2SC5201 |
2SC5201
2006-11-10
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type
2SC5201
High-Voltage Switching Applications
High breakdown voltage: VCEO = 600 V
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.0 V (max)
(IC = 20 mA, IB = 0.5 mA)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
600
V
Collector-emitter voltage
VCEO
600
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
50
Collector current
Pulse
ICP
100
mA
Base current
IB
25
mA
Collector power dissipation
PC
900
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
―
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
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