参数资料
型号: 2SC5201
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 50 mA, 600 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN
文件页数: 1/2页
文件大小: 84K
代理商: 2SC5201
2SC5201
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type
2SC5201
High-Voltage Switching Applications
High breakdown voltage: VCEO = 600 V
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.0 V (max)
(IC = 20 mA, IB = 0.5 mA)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
600
V
Collector-emitter voltage
VCEO
600
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
50
Collector current
Pulse
ICP
100
mA
Base current
IB
25
mA
Collector power dissipation
PC
900
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 600 V, IE = 0
1
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
1
A
Collector-emitter breakdown voltage
VCEO
IC = 1 mA, IB = 0
600
V
hFE (1)
VCE = 5 V, IC = 1 mA
80
DC current gain
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 20 mA
100
300
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 20 mA, IB = 0.5 mA
1.0
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 5 V, IC = 20 mA
0.66
0.85
V
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
6.5
pF
Marking
Unit: mm
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
C5201
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Part No. (or abbreviation code)
相关PDF资料
PDF描述
2SC5208 0.8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5209-13-1H 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5209-T13-1H 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5210-13-1D 100 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5210-T13-1C 100 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC5201(F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk
2SC5201(T6MURATAFM 功能描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 500mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1
2SC5201(TE6,F,M) 功能描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 500mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1
2SC5201,F(J 功能描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 500mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1
2SC5201,T6F(J 功能描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 500mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1