- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49961 > 2SC5336 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5336 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | POWER, MINIMOLD PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SC5336 |
LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION
Property of LITE-ON Only
CHARACTERISTICS CURVES
Fig.1 Forward Current vs. Ambient
Fig.2 Collector Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
Fig.3 Forward Current vs. Forward
F
60
80
40
100
20
0
-55
0
25
50
75
125
100
100 125
75
50
25
0
-55
0
200
300
400
500
10
1
200
100
50
20
2
5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
Ta= 75 C
50 C
25 C
0 C
-25 C
10
15
5
50
20
F
5mA
2mA
Pc(MAX.)
I = 15mA
Ta= 25 C
V = 10V
30
20
0
5
210
1
0
F
Collector-emitter Voltage
Fig.5 Collector Current vs.
Forward Current
Fig.4 Current Transfer Ratio vs.
-25
0.1 0.2
0.5
100
10mA
100
20
40
60
80
100
120
140
160
R =
10
Fig.6 Relative Current Transfer Ratio
vs. Ambient Temperature
150
100
50
0
-55
0
25
50
75
100
-25
F
o
rw
a
rd
c
u
rr
e
n
t
I
(m
A
)
F
o
rw
a
rd
c
u
rr
e
n
t
I
(m
A
)
F
C
o
lle
c
to
r
c
u
rr
e
n
t
Ic
(m
A
)
R
e
la
ti
v
e
c
u
rr
e
n
t
tr
a
n
s
fe
r
ra
ti
o
(%
)
C
u
rr
e
n
t
tr
a
n
s
fe
r
ra
ti
o
C
T
R
(%
)
C
o
lle
c
to
r
P
o
w
e
r
d
is
s
ip
a
ti
o
n
P
c
(m
W
)
Ambient temperature Ta ( C)
Forward voltage V (V)
Collector-emitter voltage V (V)
Ambient temperature Ta ( C)
Forward current I (mA)
Ambient temperature Ta ( C)
Temperature
o
100k
Voltage
VCE= 10V
IF= 10mA
Part No. : 4N35 / 4N37 ( M, S, S-TA1 )
Page :
8 of 10
BNS-OD-C131/A4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5336-RE | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5336-RH | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5336-RF | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5336-RE-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5336-RF-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5336(NE856M02) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Discrete |
| 2SC5336-AZ | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5336RE | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243 |
| 2SC5336RE-T1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243 |
| 2SC5336RF | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。