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参数资料
| 型号： | 2SC5347 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | 2SC5347 |
2SC5347
No.5512-3/6
Collector Current, IC -- mA
Noise
Figure,
NF
-
dB
NF -- IC
S21e
2 -- IC
Collector Current, IC -- mA
Forward
T
ransfer
Gain,
S21e
2
-
dB
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
PC -- Ta
Ambient Temperature, Ta --
°C
ITR08161
0
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
6
4
2
1.0
23
5
7
23
3
57
10
100
2
1.0
23
5
7
23
57
7
10
100
ITR08162
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
1.2
1.3
1.4
ITR08163
VCE=5V
f=1GHz
VCE=5V
f=1GHz
Mounted
on
a
ceramic
board
(900mm
2
0.8mm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5353BL-T6C-K | 3 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
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| 2SC5353BL-T60-K | 3 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SC5353BL-TF3-T | 3 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC5353BG-TF3-T | 3 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5347A | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifier Applications |
| 2SC5347AE-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5347AF-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT VHF TO UHF WIDEBAND AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC535 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DISCD TRANSISTOR |
| 2SC5351 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Type High-Voltage Switching Applications |
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