- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30569 > 2SC536N 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC536N |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NPA-WA, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | 2SC536N |
2SA608N/2SC536N
No.6324–2/4
Continued on preceding page.
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
o
C
s
g
n
i
t
a
R
t
i
n
U
n
i
mp
y
tx
a
m
t
c
u
d
o
r
P
h
t
d
i
w
d
n
a
B
-
n
i
a
GfT
V E
C
I
,
V
6
)
–
(
=
C
A
m
0
1
)
–
(
=0
0
2z
H
M
e
c
n
a
t
i
c
a
p
a
C
t
u
p
t
u
Ob
o
CV B
C
z
H
M
1
=
f
,
V
6
)
–
(
=
0
.
3F
p
)
5
.
4
(F
p
e
g
a
t
l
o
V
n
o
i
t
a
r
u
t
a
S
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV E
C
)
t
a
s
(IC
I
,
A
m
0
1
)
–
(
=
B
A
m
0
1
)
–
(
=3
.
0
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
o
i
t
a
r
u
t
a
S
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
e
s
a
BV E
B
)
t
a
s
(IC
I
,
A
m
0
1
)
–
(
=
B
A
m
0
1
)
–
(
=0
.
1
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
0
1
)
–
(
=
E 0
=0
6
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
0
5
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
o
t
-
r
e
t
i
m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
0
1
)
–
(
=
C 0
=6
)
–
(V
--16
--12
--8
--4
0
--10
--20
--30
--40
--50
IC -- VCE
--50
A
--45
A
--40
A
--35
A
--30
A
--25A
--20A
--15A
--10A
--5
A
50A
45A
40A
35A
30A
25A
20
A
15
A
10
A
5
A
IB=0
2SA608N
IT00496
20
16
12
8
4
0
010
20
30
40
50
IC -- VCE
IB=0
2SC536N
IT00497
--240
--200
--160
--120
--80
--40
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IC -- VBE
IT00498
2SA608N
VCE=--6V
2SA608N
VCE=--6V
240
200
160
120
80
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
IC -- VBE
IT00499
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SC536N
VCE=6V
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
--0.1
3
25
--1000
--1.0
73
25 7
3
25 7
3
25 7
--10
--100
hFE -- IC
IT00500
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
0.1
3
25
1000
1.0
73
25 7
3
25 7
3
25 7
10
100
hFE -- IC
IT00501
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
2SC536N
VCE=6V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5375A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5376CT | 400 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5376CT-B | 400 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5376FV | 400 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5376FV-B | 400 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC536NF-NPA-AT | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.15A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC536NG-NPA-AT | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.15A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC536NP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SC536NPD | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SC536NPE | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。