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参数资料
型号： 2SC5448
元件分类： 功率晶体管
英文描述： POWER TRANSISTOR
封装： TO-3PFM, 3 PIN
文件页数： 1/7页
文件大小： 45K
代理商： 2SC5448
2SC5448
Silicon NPN Triple Diffused
Character Display Horizntal Deflection Output
ADE-208-577 B (Z)
3rd. Edition
September 1997
Features
High breakdown voltage
V
CBO = 1500 V
High speed switching
t
f = 0.15 sec (typ.) at f H = 64 kHz
Isolated package
TO–3PFM
Outline
TO–3PFM
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
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PDF描述
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2SC5463-O UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
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2SC5454-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:14.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:- 标准包装:1
2SC5454-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:14.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143 标准包装:3,000
2SC5455-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:- 标准包装:1
2SC5455-FB(T1) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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