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参数资料
型号： 2SC5470
元件分类： 功率晶体管
英文描述： POWER TRANSISTOR
封装： TO-3PFM, 3 PIN
文件页数： 1/7页
文件大小： 42K
代理商： 2SC5470
2SC5470
Silicon NPN Triple Diffused
Character Display Horizontal Deflection Output
ADE-208-672 (Z)
1st. Edition
Oct. 1, 1998
Features
High breakdown voltage
V
CBO = 1500 V
High speed switching
tf = 0.15
sec(typ.) at fH=64kHz
Outline
TO–3PFM
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
2SC5488A-TL-H 功能描述:两极晶体管 - BJT MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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2SC5490A-TL-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 30MA 10V FT=8G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5501A-4-TR-E 功能描述:两极晶体管 - BJT MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5507-T2-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape
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