参数资料
型号: 2SC5470
元件分类: 功率晶体管
英文描述: POWER TRANSISTOR
封装: TO-3PFM, 3 PIN
文件页数: 5/7页
文件大小: 42K
代理商: 2SC5470
2SC5470
5
8
6
4
2
0
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
I
= 8 A
f = 64 kHz
Tc = 25°C
CP
H
Storage
Time
tstg
(s)
Base Current I
(A)
B1
Storage Time vs. Base Current
相关PDF资料
PDF描述
2SC5476 3 A, 85 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5489 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5490 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5501 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5501-5 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC5488A-TL-H 功能描述:两极晶体管 - BJT MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5488-TL-E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP NPN 70MA 10V FT=7G - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / BIP NPN 70MA 10V FT=7G
2SC5490A-TL-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 30MA 10V FT=8G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5501A-4-TR-E 功能描述:两极晶体管 - BJT MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5507-T2-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape