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参数资料
| 型号： | 2SC5507-T2FB-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | THIN, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 2SC5507-T2FB-A |
Data Sheet PU10522EJ01V0DS
3
2SC5507
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°C, unless otherwise specified)
Thermal/DC Characteristics
0.001
200
100
10
25
20
15
10
5
01
2
3
4
5
1
0.01
0.1
1
10
100
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector Current IC (mA)
Collector
Current
I
C
(mA)
DC
Current
Gain
h
FE
15
10
5
250
200
150
100
50
0
Total
Power
Dissipation
P
tot
(mW)
Collector
Current
I
C
(mA)
Ptot-TA: Free air
Ptot-TA: Mounted on ceramic board
(15 mm
× 15 mm, t = 0.6 mm)
Ptot-TC: When case temperature
is specified
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VCE = 2 V
IB =
A
20
A
40
A
60
A
80
A
100
A
120
A
140
A
160
TOTAL POWER DISSIPATION vs. AMBIENT
TEMPERATURE, CASE TEMPERATURE
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
COLLECTOR CURRENT vs.
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Ambient Temperature TA (C), Case Temperature TC (C)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
Capacitance/fT Characteristics
1
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
30
25
20
15
10
5
0
10
100
Reverse
Transfer
Capacitance
C
re
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
f = 1 MHz
VCE = 3 V
f = 2 GHz
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5507-T2FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5507-T2FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5509-T2FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5509-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5509 | X BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5508-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5508-T2-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,3.3V,35mA,S-MiniMold4 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R |
| 2SC5508-T2-A(FB) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
| 2SC5509-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5509-T2-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:1 |
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