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参数资料
| 型号： | 2SC5550 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | 2SC5550 |
2SC5550
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC5550
High-Speed Switching Application for Inverter Lighting
System
Suitable for RCC circuit (guaranteed small current hFE)
: hFE = 13 (min) (IC = 1 mA)
High speed: tr = 0.5 s (max), tf = 0.3 s (max) (IC = 0.24 A)
High breakdown voltage: VCEO = 400 V
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
400
V
Collector-emitter voltage
VCEO
400
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
1
Collector current
Pulse
ICP
2
A
Base current
IB
0.5
A
Ta = 25°C
1.5
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
10
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-8H1A
Weight: 0.82 g (typ.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5551A | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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