型号: | 2SC5551A |
厂商: | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | PCP, 3 PIN |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 76K |
代理商: | 2SC5551A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SC5554 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC5562 | 0.8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SC5562 | 0.8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SC5563 | 0.02 A, 1500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SC5570 | 28 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SC5551AE-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC5551AF-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT DC-DC CONVERTER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC555600L | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA MINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SC5563(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 1.5KV 0.02A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
2SC5565-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:mom 30V 5A 200 to 560 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 30V 5A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0 |