- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41460 > 2SC5568 (SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD) 8 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5568 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 17K |
| 代理商： | 2SC5568 |
Trs. for DC-DC Converter No.3
PCP
4.5
4.25
1.5
(B)
(C)
(E)
PCP
TP
(B)
(C)
(E)
6.5
2.3
9.5
TP
10
PCP, TP Package Series
Trs. for DC-DC Converter No.3
PCP MBIT-II Series PC=3.5W (Tc=25°C)
Absolute Maximum Ratings
VCE(sat)
Device No.
VCBO
VCEO
IC
ICP
VCE
IC
hFE
IC
IB
typ
max
Type
(V)
(A)
(V)
(A)
(mA)
(mV)
2SA2011
15
12
6
9
2
0.5
1.5
30
120
180
2SA2014
15
9
12
2
0.5
3
60
110
170
2SA2012
30
5
8
2
0.5
200~560
1.5
30
140
210
PNP
2SA2015
8
12
2
0.5
2.5
50
170
290
2SA2013
50
4
7
2
0.1
1
50
105
180
2SA2016
7
10
2
0.5
2
40
240
400
2SC5564
15
6
9
2
0.5
1.5
30
120
180
2SC5567
9
12
2
0.5
3
60
120
180
2SC5565
40
30
5
8
2
0.5
200~560
1.5
30
125
190
NPN
2SC5568
8
12
2
0.5
2.5
50
130
195
2SC5566
80
50
4
7
2
0.1
1
50
85
130
2SC5569
7
10
2
0.5
2
40
110
170
TP MBIT-II Series PC=15W (Tc=25°C)
Absolute Maximum Ratings
VCE(sat)
Device No.
VCBO
VCEO
IC
ICP
VCE
IC
hFE
IC
IB
typ
max
Type
(V)
(A)
(V)
(A)
(mA)
(mV)
2SA2043
15
10
13
2
0.5
3
60
110
170
2SA2044
30
9
12
2
0.5
200~560
2.5
50
170
290
PNP
2SA2039
50
5
7.5
2
0.5
2
100
255
430
2SA2040
8
10
2
0.5
2
40
240
400
2SC5709
15
10
13
2
0.5
3
60
120
180
2SC5710
40
30
9
12
2
0.5
200~560
2.5
50
130
195
NPN
2SC5706
80
50
5
7.5
2
0.5
2
100
160
240
2SC5707
8
10
2
0.5
2
40
110
170
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5567 | 9 A, 15 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2168-S | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2168-T | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2168 | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2168-S | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5569-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 7A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5570(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SC5584 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:1500V 20A 150W Bce Matsushita Transistor Top-3L |
| 2SC5585TL | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 12V 0.5A SOT-416 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5587(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。