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参数资料
| 型号： | 2SC5590 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 16 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-21F2A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 659K |
| 代理商： | 2SC5590 |
2SC5590
2006-11-22
1
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5590
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR SUPER
HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV FOR
MULTIMEDIA & HDTV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage
: VCBO = 1700 V
Low Saturation Voltage
: VCE (sat) = 3 V (Max.)
High Speed
: tf (2) = 0.1s (Typ.)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
CollectorBase Voltage
VCBO
1700
V
CollectorEmitter Voltage
VCEO
800
V
EmitterBase Voltage
VEBO
5
V
DC
IC
16
Collector Current
Pulse
ICP
32
A
Base Current
IB
8
A
Collector Power Dissipation
PC
200
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature Range
Tstg
55~150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-21F2A
Weight: 9.75 g (typ.)
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PDF描述 |
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