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参数资料
| 型号： | 2SC5590 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 16 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-21F2A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 659K |
| 代理商： | 2SC5590 |
2SC5590
2006-11-22
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP.
MAX
UNIT
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB = 1700 V, IE = 0
―
1
mA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
―
100
A
CollectorEmitter Breakdown Voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
800
―
V
hFE (1)
VCE = 5 V, IC = 2 A
22
―
45
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 9 A
6.5
―
12
DC Current Gain
hFE (3)
VCE = 5 V, IC = 12 A
4.8
―
8
―
CollectorEmitter Saturation Voltage
VCE (sat)
IC = 12 A, IB = 3 A
―
3
V
BaseEmitter Saturation Voltage
VBE (sat)
IC = 12 A, IB = 3 A
―
1.0
1.5
V
Transition Frequency
fT
VCE = 10 V, IC = 0.1 A
―
2
―
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
240
―
pF
Storage Time
tstg (1)
―
3.5
4
Fall Time
tf (1)
ICP = 9 A, IB1 (end) = 1.1 A
fH = 32 kHz
―
0.25
0.35
s
Storage Time
tstg (2)
―
1.8
2
Switching Time
Fall Time
tf (2)
ICP = 6.5 A, IB1 (end) = 1A
fH= 100 kHz
―
0.1
0.15
s
MARKING
2SC5590
TOSHIBA
JAPAN
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Part No. (or abbreviation code)
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PDF描述 |
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