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参数资料
| 型号： | 2SC5599-FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SC5599-FB |
2SA1190, 2SA1191
4
0
50
100
150
Ambient Temperature Ta (
°C)
Collector
power
dissipation
Pc
(mW)
Maximum Collector Dissipation Curve
600
400
200
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector
Current
I
C
(mA)
Typical Output Characteristics (1)
–20
–16
–12
–8
–4
0
–20
–40
–60
–80
–100
P
C =
400
mW
IB = 0
–5 A
–10
–15
–20
–25
–30
Typical Output Characteristics (2)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
0
–4
–8
–12
–16
–20
Collector
Current
I
C
(mA)
–10
–8
–6
–4
–2
IB = 0
–2
A
–4
–6
–8
–10
–12
–14
–16
–18
–20
Typical Transfer Characteristics
Collector
Current
I
C
(mA)
–0.1
–1.0
–10
–100
Base to Emitter Voltage VBE (V)
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
VCE = –6 V
Pulse
Ta = 75
°C
25
–25
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5599-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5606-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5606-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5606-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5606-T1-YFB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5606-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5606-FB-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5606-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 |
| 2SC5606-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5611 | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
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