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参数资料
| 型号： | 2SC5599-FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SC5599-FB |
2SC5080
Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 6 of 7
S Parameters
(VCE = 5 V, IC = 5 mA, ZO = 50
)
Freq.
S11
S21
S12
S22
(MHz)
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
200
0.798
–30.8
11.47
157.3
0.0329
73.0
0.936
–20.0
400
0.699
–60.8
9.88
139.6
0.0570
60.8
0.820
–35.1
600
0.592
–83.0
8.35
126.1
0.0718
53.0
0.703
–46.0
800
0.532
–99.9
7.03
115.7
0.0817
48.0
0.607
–54.0
1000
0.465
–114.5
6.02
107.6
0.0891
45.4
0.532
–59.8
1200
0.432
–128.2
5.23
101.0
0.0939
44.6
0.478
–64.3
1400
0.401
–139.6
4.58
95.2
0.0993
44.1
0.440
–67.7
1600
0.390
–150.2
4.14
90.7
0.103
44.8
0.405
–71.6
1800
0.373
–160.5
3.76
86.4
0.108
45.1
0.382
–74.7
2000
0.373
–168.3
3.42
82.6
0.112
46.5
0.362
–77.9
S Parameters
(VCE = 5 V, IC = 20 mA, ZO = 50
)
Freq.
S11
S21
S12
S22
(MHz)
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
200
0.588
–53.1
21.24
144.3
0.0275
66.3
0.826
–31.8
400
0.482
–89.8
15.59
123.6
0.0423
56.6
0.619
–49.8
600
0.419
–115.9
11.75
111.0
0.0507
53.9
0.480
–58.7
800
0.389
–134.1
9.29
102.4
0.0581
54.5
0.395
–63.8
1000
0.366
–149.7
7.64
96.5
0.0652
55.8
0.337
–67.6
1200
0.365
–161.9
6.47
91.4
0.0726
57.3
0.300
–70.1
1400
0.354
–171.4
5.63
97.1
0.0806
58.7
0.274
–72.8
1600
0.356
–179.7
4.98
83.5
0.0877
60.4
0.255
–74.6
1800
0.361
172.7
4.48
79.9
0.0959
61.2
0.242
–77.1
2000
0.365
165.3
4.06
77.0
0.105
62.4
0.232
–79.9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5599-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5606-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5606-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5606-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5606-T1-YFB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5606-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5606-FB-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5606-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 |
| 2SC5606-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5611 | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
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