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参数资料
| 型号： | 2SC5614 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | M13, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 19K |
| 代理商： | 2SC5614 |
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
2. With device mounted on 1.08 cm2 X 1.2 mm glass epoxy board.
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
VCBO
Collector to Base Voltage
V
20
VCEO
Collector to Emitter Voltage
V
12
VEBO
Emitter to Base Voltage
V
3
IC
Collector Current
mA
100
PT2
Total Power Dissipation
mW
140
TJ
Junction Temperature
°C
150
TSTG
Storage Temperature
°C
-65 to +150
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TA = 25°C)
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR
RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only) Internet: http://WWW.CEL.COM
2/09/2000
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
NE856M13
Collector Current, IC (mA)
DC
Forward
Current
Gain,
h
FE
FORWARD CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)
VCE = 10 V
1
2
3
5
7
10
20
30
50
500
300
200
100
70
50
30
20
10
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector
Current,
I
C
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
100
20
40
60
80
0
24
8
10
12
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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