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参数资料
| 型号： | 2SC5655-FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | 2SC5655-FB |
'DWD 6KHHW'(-9'6
2SA1841
Collector Current IC (A)
Pulse test
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Collector to Base Voltage VCB (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5667-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5667-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC5658 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:150 MA, 50 V, NPN, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VMT3, 3 PIN |
| 2SC5658GT2LR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTER 2SC5658GT2LR |
| 2SC5658M3T5G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5658RM3T5G | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS GENERAL PURPOSE NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5658T2L | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:150 MA, 50 V, NPN, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VMT3, 3 PIN |
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