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参数资料
| 型号： | 2SC5702ZS-TL-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MODIFIED SC-89, MFPAK-3 |
| 文件页数： | 6/15页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | 2SC5702ZS-TL-E |
2SC5702
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 14 of 14
Package Dimensions
A
D
E
L
HE
LP
A2
A1
A
c
A
b
xS
A
M
S
e
b2
I1
e1
Pattern of terminal position areas
A
A1
A2
b
b1
c
c1
D
E
e
HE
L
LP
x
b2
e1
I1
0.55
0
0.55
0.15
0.1
1.35
0.7
1.15
0.1
0.15
Min
Nom
Dimension in Millimeters
Reference
Symbol
Max
0.22
0.2
0.13
0.11
1.4
0.8
0.45
1.2
0.2
0.75
0.6
0.01
0.59
0.3
0.15
1.45
0.9
1.25
0.3
0.45
0.05
0.35
0.5
SC-89 Modified
0.0016g
MASS[Typ.]
MFPAK / MFPAKV
PUSF0003ZA-A
RENESAS Code
JEITA Package Code
Package Name
b
A-A Section
b1
c1
c
Ordering Information
Part Name
Quantity
Shipping Container
2SC5702ZS-TL-E
9000
φ 178 mm Reel, 8 mm Emboss Taping
Note:
For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of
production before ordering the product.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5706-TL | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5706-TL | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5706TP | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5706TP | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5706TP-FA | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5703(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC5706-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5706-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5706-P-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5706-P-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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