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参数资料
| 型号： | 2SC5704FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEADLESS, MINIMOLD PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 22/26页 |
| 文件大小： | 235K |
| 代理商： | 2SC5704FB |
Data Sheet P15364EJ1V0DS
3
2SC5704
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, TA = +25
°°°°C)
300
250
115
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
Total
Power
Dissipation
P
tot
(mW)
Ambient Temperature TA (C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
Mounted on Glass Epoxy Board
(1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) )
f = 1 MHz
Reverse
Transfer
Capacitance
C
re
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
2
468
10
VCE = 1 V
Collector
Current
I
C
(mA)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
35
25
30
10
5
20
15
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
VCE = 2 V
Collector
Current
I
C
(mA)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
35
25
30
10
5
20
15
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
Collector
Current
I
C
(mA)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
40
25
20
15
35
30
10
5
01
2
3
4
IB = 50 A
450 A
400 A
350 A
300 A
250 A
200 A
150 A
100 A
500 A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5704-T3 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5704 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5704-T3FB | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5704 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5707TP-FA | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SC5706-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5706-P-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5706-P-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5706-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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