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参数资料
| 型号： | 2SC5704FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEADLESS, MINIMOLD PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 26/26页 |
| 文件大小： | 235K |
| 代理商： | 2SC5704FB |
Data Sheet P15364EJ1V0DS
7
2SC5704
VCE = 2 V, f = 1 GHz
Icq = 20 mA (RF OFF)
30
20
10
0
–10
50
40
20
30
10
–25
–15
5
Input Power Pin (dBm)
OUTPUT POWER, COLLECTOR
CURRENT vs. INPUT POWER
Output
Power
P
out
(dBm)
Collector
Current
I
C
(mA)
Pout
IC
VCE = 2 V, f = 2 GHz
Icq = 20 mA (RF OFF)
30
20
10
0
–10
50
40
20
30
10
–25
–15
5
Input Power Pin (dBm)
OUTPUT POWER, COLLECTOR
CURRENT vs. INPUT POWER
Output
Power
P
out
(dBm)
Collector
Current
I
C
(mA)
Pout
IC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5704-T3 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5704 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5704 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC5706-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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