- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30571 > 2SC5712 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5712 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-62, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | 2SC5712 |
2SC5712
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5712
High-Speed Switching Applications
DC-DC Converter Applications
DC-AC Converter Applications
High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A)
Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.14 V (max)
High-speed switching: tf = 120 ns (typ.)
Maximum Ratings (Ta
= 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
VCEX
80
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
3.0
Collector current
Pulse
ICP
5.0
A
Base current
IB
300
mA
DC
1.0
Collector power
dissipation
t
= 10 s
PC
(Note)
2.5
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:
645 mm
2)
Electrical Characteristics (Ta
= 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 100 V, IE = 0
100
nA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
100
nA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
50
V
hFE (1)
VCE = 2 V, IC = 0.3 A
400
1000
DC current gain
hFE (2)
VCE = 2 V, IC = 1 A
200
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 1 A, IB = 20 mA
0.14
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 1 A, IB = 20 mA
1.10
V
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
13
pF
Rise time
tr
40
Storage time
tstg
500
Switching time
Fall time
tf
See Figure 1 circuit diagram.
VCC 30 V, RL = 30
IB1 = IB2 = 33.3 mA
120
ns
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5741-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5741-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5741-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5741-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5741-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5712(TE12L,F) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5720(TPE4,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SC57250SL | 功能描述:TRAN NPN HF 15VCEO 2.0A MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5729T106Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5729T106R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。