- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30571 > 2SC5712 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5712 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-62, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | 2SC5712 |
2SC5712
2004-07-07
3
Ba
se-
emi
tte
rvol
ta
ge
V
BE
(
V
)
Ba
se
-emi
tte
rsa
tu
rati
on
v
olta
ge
V
BE
(s
a
t)
(V
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (A)
hFE – IC
DC
cur
re
nt
gain
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
C
ollec
tor
-e
mi
tte
rs
atu
rati
on
vo
ltage
V
CE
(s
a
t)
(V
)
Collector current IC (A)
VBE (sat) – IC
Collector current IC (A)
VBE – IC
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
Common emitter
β = 50
Single nonrepetitive
pulse
Ta
= 100°C
55
25
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Common emitter
IC/IB = 50
Single nonrepetitive
pulse
Ta
= 100°C
55
25
0
0.4
1
2
3
4
0.2
0.6
0.8
IB = 1 mA
Common emitter
Ta
= 25°C
Single nonrepetitive
pulse
70
60
50
40
30
20
10
5
2
10
0.001
0.01
0.1
1
100
1000
10000
Common emitter
VCE = 2 V
Single nonrepetitive
pulse
Ta
= 100°C
25
55
0
0.4
0.8
1.2
1.6
1
2
3
Ta
= 100°C
Common emitter
VCE = 2 V
Single nonrepetitive
pulse
55
25
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5741-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5741-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5741-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5741-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5741-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5712(TE12L,F) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5720(TPE4,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SC57250SL | 功能描述:TRAN NPN HF 15VCEO 2.0A MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5729T106Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5729T106R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。